Cette subvention du gouvernement américain vise à renforcer les capacités de production en semi-conducteurs de pointe destinés à des secteurs critiques, tels que les télécommunications et la défense.
Dans un contexte de tensions sur le marché des semi-conducteurs et de crispations internationales, notamment entre la Chine et les États-Unis, de plus en plus d'États développent leurs capacités de production de puces pour tenter de réduire leur dépendance à l'égard de l'Asie et de grandes entreprises comme le taïwanais TSMC.
À cet égard, l'administration Biden vient d'accorder une subvention de 1,5 milliard de dollars à Global Foundries, dans le cadre de la loi « Chips and Science Act ». Cet argent doit servir à stimuler la production de semi-conducteurs aux États-Unis. Le protocole d'accord prévoit de financer des projets d'usines à Malte, dans l'État de New York, et d'une installation de pointe dans l'État du Vermont, produisant des technologies à forte valeur ajoutée, essentielles pour le secteur de l'automobile, des communications et de la défense.
Par cet accord, le gouvernement souhaite également « renforcer la compétitivité des États-Unis dans la production de semi-conducteurs de la génération actuelle et des nœuds matures (C&M), et soutenir les capacités économiques et de sécurité nationale », peut-on lire dans un communiqué du ministère du commerce.
Une capacité de production sur site multipliée par trois
Deux projets devraient voir le jour dans l'État de New York pour porter la production. Ces deux projets devraient augmenter la production de galettes de silicium à 1 million d'unités par an. Le premier projet prévoit la construction d'une usine de fabrication de 300 mm et l'agrandissement d'une usine existante. Ces deux projets combinés devraient tripler la capacité de production du campus de Malte au cours des 10 prochaines années et permettre de produire des technologies qui ne sont pas encore fabriquées aux États-Unis.
Dans le Vermont, le projet consistera à moderniser des infrastructures afin de produire des technologies de 200 mm, plus précisément des semi-conducteurs au nitrure de gallium sur silicium pour une utilisation dans les véhicules électriques, le réseau électrique, les smartphones 5G et 6G, ainsi que d'autres technologies critiques. Plus tôt dans le mois, le gouvernement américain avait annoncé plus de 5 milliards de dollars d'investissements dans le cadre d'un programme de R&D sur les semi-conducteurs.