Le développeur de la technologie ReRAM ( Resistive Random Access Memory), la start-up israélienn Weebit Nano en partenariat avec le CEA-LETI a démontré des paramètres de niveau de production de son produit en 28 nm.
La démonstration des paramètres de production est une importante étape afin d’industrialiser la production du type de mémoire non volatile que sont les ReRAM qui peuvent être un apport important pour les applications d’intelligence artificielle, de l’Internet des Objets et la 5G. concrètement le fondeur et le reconnu institut de recherche français ont conjointement testé, caractérisé et mesuré un élément fonctionnel d’un megabit dans la technologie de process en 28 nm sur des waffers de 300 mm. Ce module fonctionnel inclut un mini switch qui tire avantage des capacités de faible voltage et de faible puissance de la technologie 28 nm ce qui permet de multiplier par 4 la densité des mémoires.
Par ailleurs le fondeur avait annoncé début du mois dernier un accord avec la compagnie SkyWater Technology pour porter la ReRAM a une production en volume. Skywater a de plus pris une licence de la technologie pour des conceptions pour ses clients afin de fournir des mémoires non volatiles embarquées sur son process maison en 130 nm.