Vertical Semiconductor va utiliser ces fonds afin de soutenir le développement de sa plateforme de transistors évolutive pour la distribution de l’électricité à grande échelle, destinée à alimenter les puces dans les centres de données.
Issue du Palacios Group du MIT, un laboratoire spécialisé dans le domaine du nitrure de gallium (GaN) du Massachusetts Institute of Technology (MIT), Vertical Semiconductor développe des transistors verticaux en nitrure de gallium (GaN). Ce composant, destiné à l’alimentation des puces d’intelligence artificielle, rend les systèmes d’alimentation plus efficaces et plus denses en énergie comparés à ceux basés sur le silicium.
Dans un contexte de forte croissance de l’intelligence artificielle et des technologies qui lui sont associées, l’entreprise a annoncé avoir bouclé un tour de table de 11 millions de dollars.
« Le rythme de l’IA n’est pas seulement limité par les algorithmes. Le plus grand goulet d’étranglement du matériel d’IA est la vitesse à laquelle nous pouvons acheminer l’énergie jusqu’au silicium », explique Cynthia Liao, PDG et cofondatrice de Vertical, citée dans un communiqué.
Jusqu’à 30 % d’efficacité énergétique en plus
Les transistors verticaux GaN de Vertical Semiconductor sont censés répondre à ces défis. Cette avancée permet de réduire les pertes d’énergie, de diminuer la chaleur et de simplifier les infrastructures, améliorant ainsi l’efficacité énergétique jusqu’à 30 % et réduisant l’empreinte énergétique des racks de centres de données d’IA de 50 %.
Ces fonds doivent servir à accélérer le développement et à industrialiser ses transistors de nouvelle génération, capables de supporter la montée en puissance des charges de travail liées à l’IA, qui met sous pression les centres de données. Actuellement, Vertical Semiconductor n’en est qu’au stade du prototype. Elle prévoit de lancer une solution entièrement intégrée en 2026.
